VD1014内置高精度电压检测电路和延长电路以及内置MOSFET开云体育，是用于单节锂离子/锂团员物可再充电电板的保护IC。

本IC相宜于对1节锂离子/锂团员物可再充电电板的过充电、过放电和过电流进行保护

特质

VD1014具备如下特质:高精度电压检测电路

过充电检测电压 4.30V 精度±50mV

过充电开释电压 4.15V 精度±70mV

过放电检测电压 2.80V 精度±100mV

过放电开释电压 3.00V 精度±100mV

各延长技艺由里面电路缔造

过充电检测延长技艺 典型值100ms

过放电检测延长技艺 典型值100ms

放电过流检测延长技艺 典型值20ms

低耗电流

使命花样

过放电花样

典型值1.5μ A，(VDD=3.5V)典型值0.5μ A，(VDD=2.0V)

允许向0V电板充电。

宽使命温度范畴:-40℃~+85℃

微型封装:DFN2x2-6L

此IC合手续侦测流畅在VDD和VM之间的电板电压，以及VM与VSS之间的电压差，来适度充电和放电。当电板电

压在过放电检测电压（VDL）与过充电检测电压（VCU）之间，且VM端子电压在放电过流检测电压（VDIP）与充

电过流检测电压（VCIP）之间时，为“平素使命现象”。此现象下，充电和放电齐不错开脱进行。

评释：初度流畅电芯时，会有不可放电的可能性，此时，短接VM端子和VSS端子，玩忽流畅充电器，就能规复

到平素使命现象开云体育。

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